如何理解UVLED光固化的基本原理
來源： 發(fā)布日期 2019-03-06 09:54 瀏覽：
UVLED是LED的一種，是單波長的不可見光，一般在420nm以下。主要有365nm和395nm。UVLED光固化一般使用365nm波長。通過專門設(shè)計使UVLED能發(fā)出一個完整連續(xù)紫外光帶，滿足封邊，印刷等領(lǐng)域的生產(chǎn)需要。線光源有***長的壽命、冷光源、無熱輻射、壽命不受開閉次數(shù)影響、能量高、照射均勻提高生產(chǎn)效率，不含有毒物物質(zhì)比傳統(tǒng)的光源更安全、更環(huán)保。
UVLED（紫外LED）由夾在較薄GaN三明治結(jié)構(gòu)中給一個或多個InGaN量子阱組成，形成的有源區(qū)為覆層。通過改變InGaN量子阱中InN-GaN的相對比例，發(fā)射波長可由紫光變到其他光。AlGaN通過改變AlN比例能用于制作UVLED中的覆層和量子阱層，但這些器件的效率和成熟度較差。如果有源量子阱層是GaN，與之相對是InGaN或AlGaN合金，則器件發(fā)射的光譜范圍為350~370nm。
當(dāng)藍色InGaN發(fā)光二ji管泵處短的電子脈沖時，則產(chǎn)生紫外線輻射。含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波長的器件，獲得系列波長的UVLED。波長可達247nm的二ji管已經(jīng)商業(yè)化，基于氮化鋁、可發(fā)射210nm紫外線輻射的LED已研制成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。
III-V族金屬氮化物基的半導(dǎo)體非常適合于制作紫外輻射源。以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，電子和空穴在復(fù)合時所輻射的能量在1.89~6.2eV。如果LED的活性層單純由GaN或AlGaN構(gòu)成，則其紫外輻射效率很低，因為電子和空穴之間的復(fù)合為非輻射復(fù)合。如果在該層當(dāng)中摻雜少量的金屬In，活性層局部的能ji就會發(fā)生變化，此時，電子和空穴就會發(fā)生輻射復(fù)合。因此，當(dāng)在活性層中摻雜了金屬銦之后，380nm處的輻射效率要比不摻雜的高大約19倍。
UVLED光固化的原理：利用UVLED固化產(chǎn)生的特定紫外線波長與UV涂料、UV膠、UV油墨里的UV固化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)達到快速固化的效果。
復(fù)坦希（上海）電子科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)UVLED點光源，UVLED線光源，UVLED面光源，UVLED固化，UVLED光固化機，UVLED膠水固化機，紫外LED光源固化設(shè)備。
UVLED（紫外LED）由夾在較薄GaN三明治結(jié)構(gòu)中給一個或多個InGaN量子阱組成，形成的有源區(qū)為覆層。通過改變InGaN量子阱中InN-GaN的相對比例，發(fā)射波長可由紫光變到其他光。AlGaN通過改變AlN比例能用于制作UVLED中的覆層和量子阱層，但這些器件的效率和成熟度較差。如果有源量子阱層是GaN，與之相對是InGaN或AlGaN合金，則器件發(fā)射的光譜范圍為350~370nm。
當(dāng)藍色InGaN發(fā)光二ji管泵處短的電子脈沖時，則產(chǎn)生紫外線輻射。含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波長的器件，獲得系列波長的UVLED。波長可達247nm的二ji管已經(jīng)商業(yè)化，基于氮化鋁、可發(fā)射210nm紫外線輻射的LED已研制成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。
III-V族金屬氮化物基的半導(dǎo)體非常適合于制作紫外輻射源。以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，電子和空穴在復(fù)合時所輻射的能量在1.89~6.2eV。如果LED的活性層單純由GaN或AlGaN構(gòu)成，則其紫外輻射效率很低，因為電子和空穴之間的復(fù)合為非輻射復(fù)合。如果在該層當(dāng)中摻雜少量的金屬In，活性層局部的能ji就會發(fā)生變化，此時，電子和空穴就會發(fā)生輻射復(fù)合。因此，當(dāng)在活性層中摻雜了金屬銦之后，380nm處的輻射效率要比不摻雜的高大約19倍。
UVLED光固化的原理：利用UVLED固化產(chǎn)生的特定紫外線波長與UV涂料、UV膠、UV油墨里的UV固化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)達到快速固化的效果。
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